شرکت اینتل دیروز اعلام کرد که لیتوگرافی 3 نانومتریاش با نام Intel 3 وارد مرحلهی تولید انبوه در دو کارخانه شده است. تیم آبی جزئیات بیشتری از لیتوگرافی جدیدش ارائه کرده است. این فرایند جدید علاوهبر افزایش عملکرد و تراکم ترانزیستور ، از ولتاژ ۱/۲ ولت برای کاربردهای با کارایی فوقالعاده بالا نیز پشتیبانی میکند.
به گزارش سرویس اخبار سخت افزار سایت شات ایکس و به نقل از تکناک لیتوگرافی 3 نانومتری Intel 3 هم برای محصولات خود اینتل و هم برای مشتریان بخش ریختهگری (Foundry) در نظر گرفته شده است و در سالهای آینده نیز تکامل خواهد یافت. ولید حافظ، معاون توسعهی فناوری ریختهگری اینتل گفت:
فناوری Intel 3 ما درحالحاضر در کارخانههای اورگان و ایرلند در حال تولید انبوه است که شامل پردازندههای Xeon 6 با نامهای رمز Sierra Forest و Granite Rapids نیز میشود که اخیراً عرضه شدهاند.
براساس گزارش تامزهاردور، اینتل همواره فرایند تولید Intel 3 را برای کاربردهای مراکز داده (Datacenter) هدف قرار داده است که نیازمند عملکرد پیشرو هستند. این عملکرد پیشرو با استفاده از ترانزیستور های بازطراحیشده (درمقایسهبا نسل Intel 4) و مدارهای انتقال قدرت با مقاومت کمتر ترانزیستور و بهینهسازی مشترک طراحی بهدست میآید.
این نسل از تولید از هر دو ولتاژ پایین کمتر از 0/6 ولت و ولتاژ بالای بیشتر از 1/3 ولت برای بارهای حداکثر پشتیبانی میکند. اینتل درزمینهی عملکرد، وعده داده است که این نسل جدید با همان توان و تراکم ترانزیستور درمقایسهبا Intel 4، درحدود 18 درصد عملکرد بهتری ارائه دهد.
برای دستیابی به بهترین ترکیب از مزایای عملکرد و تراکم، طراحان تراشه باید از ترکیبی از کتابخانههای 240 و 210 نانومتری با تراکم بالا استفاده کنند. علاوهبراین، مشتریان اینتل میتوانند بسته به نیاز خود، بین سه دستهبندی چیدمان فلزی (Metal Stacks) یکی را انتخاب کنند: 14 لایه برای بهینهسازی هزینه و 18 لایه برای تعادل بهینه بین عملکرد و هزینه و 21 لایهی فلزی برای دستیابی به عملکرد بهتر.
درحالحاضر، اینتل از لیتوگرافی 3 نانومتری خود برای ساخت پردازندههای Xeon 6 برای مراکز داده استفاده خواهد کرد. درنهایت، بخش ریختهگری اینتل (Intel Foundry) از این لیتوگرافی برای ساخت پردازندههای مراکز داده برای مشتریان خود استفاده خواهد کرد.
علاوهبر فناوری پایهی Intel 3 ، تیم آبی فناوری Intel 3 T را ارائه خواهد داد که از Viaهای درون سیلیکونی (Through Silicon Vias) پشتیبانی میکند و میتواند بهعنوان Die پایه استفاده شود.
اینتل در آینده، نسخهی بهبودیافته ازلحاظ امکانات به نام Intel 3 -E را برای چیپستها و کاربردهای ذخیرهسازی و نسخهی بهبودیافته ازلحاظ عملکرد به نام Intel 3 -PT را ارائه خواهد کرد که برای طیف گستردهای از کارها مانند هوش مصنوعی و رایانههای با عملکرد بالا (HPC) و رایانههای شخصی با کاربری عمومی کاربردی است،.