سامسونگ در تولید تراشه پرچمدار اگزینوس ۲۵۰۰، که قرار است در سری گلکسی S25 به کار رود، با چالش جدی مواجه شده است.
بر اساس آخرین گزارش‌ها، این شرکت کره‌ای تنها موفق به دستیابی به بازدهی ۲۰ درصدی در فرآیند تولید پیشرفته ۳ نانومتری نسل دوم خود شده است. این رقم به مراتب کمتر از میزان مورد نیاز برای تولید انبوه تراشه‌های با کارایی بالا است. به عبارت دیگر، از هر پنج ویفر سیلیکونی که تولید می‌شود، تنها یک ویفر قابلیت تبدیل به تراشه اگزینوس را دارد.
به گزارش سرویس اخبار سخت افزار سایت شات ایکس و به نقل از تکفارس در حال حاضر، سامسونگ در تولید تراشه‌های اگزینوس ۲۴۰۰ با استفاده از فرآیند ۳ نانومتری نسل اول به بازدهی ۶۰ درصدی دست یافته است. این میزان بازدهی برای تجهیز سری گلکسی S24 کافی بوده است. اما در مورد نسل بعدی این تراشه‌ها، یعنی اگزینوس ۲۵۰۰، این شرکت با چالش جدی کاهش بازدهی مواجه شده است.
این موضوع، آینده‌ی استفاده از تراشه‌های اگزینوس در پرچمدارهای آینده گلکسی را با ابهام مواجه کرده است. در صورت تداوم این وضعیت، سامسونگ ممکن است مجبور شود برای تجهیز سری گلکسی S25 به تراشه‌های پرچمدار اسنپدراگون ۸ نسل ۲ کوالکام روی آورد که هر کدام قیمتی بیش از ۲۰۰ دلار دارند. این امر به طور مستقیم بر قیمت نهایی گوشی‌های سری گلکسی S25 تأثیرگذار خواهد بود.
با وجود ظاهر شدن گلکسی S25 پلاس با تراشه اگزینوس ۲۵۰۰ در بنچمارک‌های اخیر، هنوز نمی‌توان با قطعیت در مورد استفاده از این تراشه در محصولات نهایی اظهار نظر کرد.