تکفارس :بر اساس آخرین گزارش‌ها، این شرکت کره‌ای تنها موفق به دستیابی به بازدهی ۲۰ درصدی در فرآیند تولید پیشرفته ۳ نانومتری نسل دوم خود شده است. این رقم به مراتب کمتر از میزان مورد نیاز برای تولید انبوه تراشه‌های با کارایی بالا است. به عبارت دیگر، از هر پنج ویفر سیلیکونی که تولید می‌شود، تنها یک ویفر قابلیت تبدیل به تراشه اگزینوس را دارد.